[发明专利]一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法在审
| 申请号： | 201310519287.4 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103560146A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;贺致远;倪毅强;周德秋;张佰君 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、应力缓冲层、高阻GaN外延层、新型插入层、非掺杂GaN沟道层和异质结势垒层，新型插入层包括一层P型掺杂GaN插入层和一层N型掺杂GaN插入层。本发明材料结构直接采用一层P型掺杂GaN和一层N型掺杂GaN组成的掺入层作为新型插入层，实现了一种用于制备高迁移率，低关态漏电流，超高开关比的GaN异质结场效应晶体管器件的新型外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 gan 异质结 场效应 晶体管 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构，其特征在于，由下至上依次包括衬底、应力缓冲层、高阻GaN外延层、P型掺杂GaN插入层、N型掺杂GaN插入层、非掺杂GaN沟道层和异质结势垒层；所述P型掺杂GaN插入层厚度为1~50nm；N型掺杂GaN插入层厚度为1~50nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310519287.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种保温板流水线的侧封纸带机构
- 下一篇：电极胶带的制作机台
- 同类专利
- 专利分类
