[发明专利]一种接触窗结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310518642.6 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576597A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L27/112 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种接触窗结构及其形成方法，该阶梯式接触窗结构的形成方法，包括：形成一由多个有源层与多个绝缘层交替的叠层，此叠层包括一第一子叠层与一第二子叠层，各子叠层的有源层被这些绝缘层分开；各子叠层的有源层包括一上边界有源层；一子叠层绝缘层形成于第一子叠层与第二子叠层之间；在一已知刻蚀步骤中，子叠层绝缘层具有一不同于绝缘层的刻蚀时间的刻蚀时间；接通这些上边界有源层；接续上述接通步骤，接通其余这些有源层，并于这些有源层上产生一阶梯式结构的着陆区；形成延伸至这些着陆区的层间导体，这些层间导体由绝缘材料各自分开。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种阶梯式接触窗结构的形成方法，包括：形成一由多个有源层与多个绝缘层交替的叠层，包括：形成包括N个有源层的一第一子叠层，该N个有源层被这些绝缘层分开，该N个有源层包括一上边界有源层；形成一第二子叠层于该第一子叠层之上，该第二子叠层包括M个有源层，该M个有源层被这些绝缘层分开，该M个有源层包括一上边界有源层；且形成一第一子叠层绝缘层位于该第一子叠层与该第二子叠层之间，在一已知刻蚀步骤中该第一子叠层绝缘层具有一不同于该第二子叠层内的这些绝缘层的多个刻蚀时间的刻蚀时间；接通这些上边界有源层；接续这些上边界有源层的接通步骤，接通该第一子叠层与该第二子叠层的其余这些有源层，并于该第一子叠层与该第二子叠层的这些有源层上产生阶梯式结构的多个着陆区(landing area)；以及形成延伸至这些着陆区的多个层间导体，这些层间导体由绝缘材料各自分开。
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