[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201310504530.5 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103778944B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 河野隆司 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟,金杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。在闪存中，在使第一以及第二节点（N3、N4）预充电到电源电压（VDD）之后使读出放大器（17）激活，将在第一以及第二节点（N3、N4）中所显现出的信号保持在寄存器（50）中，通过寄存器（50）的输出信号（OCD1、OCD2）使晶体管（23或24）导通，并将偏移补偿用的恒流源（26或36）与第一或者第二节点（N3或N4）连接。因此，能够通过简单的结构来补偿读出放大器（17）的偏移电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：预充电电路，将第一节点以及第二节点预充电到预定的电压；读出放大器，将所述第一节点以及所述第二节点之间的电压放大，且输出第一信号或者第二信号；偏移感测电路，在偏移感测动作时，通过所述预充电电路使所述第一节点以及所述第二节点预充电到所述预定的电压后，使所述读出放大器激活，并基于所述读出放大器的输出信号来检测所述读出放大器的偏移电压；和偏移补偿电路，基于所述偏移感测电路的检测结果，对通过所述预充电电路而被预充电了的所述第一节点或者所述第二节点中电压高的节点侧施加偏移补偿电流，补偿所述读出放大器的偏移电压。
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