[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201310504530.5 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN103778944B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 河野隆司 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟,金杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具有:
预充电电路,将第一节点以及第二节点预充电到预定的电压;
读出放大器,将所述第一节点以及所述第二节点之间的电压放大,且输出第一信号或者第二信号;
偏移感测电路,在偏移感测动作时,通过所述预充电电路使所述第一节点以及所述第二节点预充电到所述预定的电压后,使所述读出放大器激活,并基于所述读出放大器的输出信号来检测所述读出放大器的偏移电压;和
偏移补偿电路,基于所述偏移感测电路的检测结果,对通过所述预充电电路而被预充电了的所述第一节点或者所述第二节点中电压高的节点侧施加偏移补偿电流,补偿所述读出放大器的偏移电压。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述偏移感测电路包括寄存器,所述寄存器保持所述偏移感测动作时的所述读出放大器的输出信号,
所述偏移补偿电路基于所述寄存器中所保持的信号使所述第一节点或者所述第二节点的电压变化。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述寄存器包括:
第一开关元件以及第二开关元件,所述第一开关元件以及所述第二开关元件的一方的电极分别与所述第一节点以及所述第二节点连接,且在所述偏移感测动作时导通;和
闩锁电路,与所述第一开关元件以及所述第二开关元件的另一方的电极连接,且保持经由所述第一开关元件以及所述第二开关元件而供给的所述读出放大器的输出信号。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述偏移感测动作进行多次,
所述寄存器保持多次的所述读出放大器的输出信号,
所述偏移补偿电路在所述寄存器中所保持的所述多次的所述读出放大器的输出信号的逻辑一致的情况下,基于这些信号使所述第一节点或者所述第二节点的电压变化,在这些信号的逻辑不一致的情况下,不使所述第一节点和所述第二节点的电压变化。
5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述偏移补偿电路包括:
在所述第一节点与基准电压的线路之间串联连接的第一开关元件以及第一电流源;和
在所述第二节点与所述基准电压的线路之间串联连接的第二开关元件以及第二电流源,
基于所述寄存器中所保持的信号的逻辑,所述第一开关元件或者所述第二开关元件导通。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述偏移补偿电路包括:
在所述第一节点与基准电压的线路之间串联连接的第一开关元件以及第一电容器;和
在所述第二节点与所述基准电压的线路之间串联连接的第二开关元件以及第二电容器,
基于所述寄存器中所保持的信号的逻辑,所述第一开关元件或者所述第二开关元件导通。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
所述偏移补偿电路还包括:
与所述第一电容器并联连接,且在所述第一开关元件处于非导通的情况下导通的第三开关元件;和
与所述第二电容器并联连接,且在所述第二开关元件处于非导通的情况下导通的第四开关元件。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述偏移感测动作在所述半导体装置被接入了电源电压时进行。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述偏移感测动作在所述读出放大器被激活的通常动作之前进行。
10.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,还具有:
存储单元,将与所存储的数据信号的逻辑相对应的第一值或者第二值的电流施加给所述第一节点;
电流源,将所述第一值以及第二值之间的第三值的基准电流施加给所述第二节点;和
读出控制电路,在读出动作时,在一边使所述存储单元以及所述电流源激活、一边通过所述预充电电路使所述第一节点以及所述第二节点预充电到所述预定的电压后,使所述读出放大器激活。
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,还具有:
第一存储单元,将与所存储的第一数据信号的逻辑相对应的第一值或者第二值的电流施加给所述第一节点;
第二存储单元,存储逻辑与所述第一数据信号不同的第二数据信号,并将与所述第二数据信号的逻辑相对应的所述第一值或者所述第二值的电流施加给所述第二节点;和
读出控制电路,在读出动作时,在一边使所述第一存储单元以及所述第二存储单元激活、一边通过所述预充电电路使所述第一节点以及所述第二节点预充电到所述预定的电压后,使所述读出放大器激活。
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