[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

摘要

金属氧化物半导体薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源极和漏极及金属氧化物半导体层。栅极绝缘层位于基底上并覆盖位于基底上的栅极。源极和漏极分隔的位于栅极绝缘层上，并分别与栅极具有第一重叠区和第二重叠区。金属氧化物半导体层覆盖源极和漏极并与源极和漏极接触，且金属氧化物半导体层与源极和漏极分别具有第三重叠区和第四重叠区，第三重叠区的面积大于第一重叠区的面积，第四重叠区的面积大于第二重叠区的面积。金属氧化物半导体薄膜晶体管能有效解决金属氧化物半导体层与源漏极的剥离问题，同时也能避免在形成钝化保护层过程中对金属氧化物半导体层的损伤。本发明还涉及金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法。

主权项

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，其包括：基底；栅极，位于该基底上；栅极绝缘层，位于该基底上并覆盖该栅极；源极和漏极，分隔的位于该栅极绝缘层上，该源极与该栅极具有第一重叠区，该漏极与该栅极具有第二重叠区；以及金属氧化物半导体层，覆盖该源极和该漏极并与该源极和该漏极接触，且该金属氧化物半导体层与该源极具有第三重叠区，该金属氧化物半导体层与该漏极具有第四重叠区，该第三重叠区的面积大于该第一重叠区的面积，该第四重叠区的面积大于该第二重叠区的面积。