[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法，其能够以优异的生产效率制造具有贯通导电路径的半导体元件。本发明的制造方法包括：[工序A]，准备半导体晶圆，所述半导体晶圆具有形成有多个半导体元件的有源面、在与该有源面相反侧的面上形成的规定的图案的导电层、以及连接该有源面和其相反侧的面的贯通导电路径；[工序B]，在该导电层上形成焊料凸块；以及[工序C]，切割该半导体晶圆，其中，该[工序A]包括在具有形成有多个半导体元件的有源面的半导体晶圆的该有源面侧贴附有保护带的状态下，对与该有源面相反侧的面进行磨削的步骤，从该磨削起至[工序C]的切割为止在贴附该保护带的状态下进行。

主权项

一种半导体元件的制造方法，其包括：工序A，准备半导体晶圆，所述半导体晶圆具有形成有多个半导体元件的有源面、在与该有源面相反侧的面上形成的规定的图案的导电层、以及连接该有源面和其相反侧的面的贯通导电路径；工序B，在该导电层上形成焊料凸块；以及工序C，切割该半导体晶圆，其中，该工序A包括在具有形成有多个半导体元件的有源面的半导体晶圆的该有源面侧贴附有保护带的状态下，对与该有源面相反侧的面进行磨削的步骤，从该磨削起至工序C的切割为止在贴附该保护带的状态下进行。