[发明专利]存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器及其制造方法，该存储器包括一衬底、多个包括相互交替的半导体层和第一绝缘层的位线叠层、一存储器层、多个第二绝缘层、以及多个串行选择结构。位线叠层是平行配置在衬底上方。位线叠层各具有相对的二个侧壁。存储器层是配置在位线叠层的侧壁上。第二绝缘层是分别配置在位线叠层各者之上。串行选择结构是对应位线叠层配置。串行选择结构各包括一第一导电层及二个衬垫层，第一导电层是配置在对应的第二绝缘层上，二个衬垫层分别沿着对应的位线叠层的相对二个侧壁配置并连接第一导电层。

主权项

一种存储器，包括：一衬底；多个位线叠层，平行配置在该衬底上方，这些位线叠层各包括相互交替的多个半导体层和多个第一绝缘层，这些位线叠层各具有相对的二个侧壁；一存储器层，配置在这些位线叠层的这些侧壁上；多个第二绝缘层，分别配置在这些位线叠层各者之上；以及多个串行选择结构，分别对应这些位线叠层配置，这些串行选择结构各包括：一第一导电层，配置在这些第二绝缘层中对应的该第二绝缘层上；及二个衬垫层，分别沿着这些位线叠层中对应的该位线叠层相对的该二个侧壁配置并连接该第一导电层。