[发明专利]一种MOSFET结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括a.提供衬底、源漏区、伪栅叠层、层间介质层和侧墙；b.去除伪栅叠层形成伪栅空位，并在伪栅空位中的衬底上形成氧化层；c.在所述半导体结构漏端一侧覆盖光刻胶，露出伪栅空位中靠近源端的氧化层；d.对未被光刻胶覆盖的衬底及氧化层进行各向异性刻蚀，形成空位；e.去除光刻胶，在所述空位中淀积跃迁阻挡层，直至所述跃迁阻挡层与氧化层平齐；f.对所述半导体结构进行刻蚀，去除氧化层以露出沟道表面；g.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层。根据本发明提供的方法，有效抑制了热载流子效应优化了器件性能。

主权项

一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)、源漏区(200)、伪栅叠层(150)、层间介质层(300)和侧墙(160)；b.去除伪栅叠层(150)形成伪栅空位，并在伪栅空位中的衬底上形成氧化层(350)；c.在源端一侧覆盖光刻胶，露出伪栅空位中靠近漏端的氧化层(350)；d.对未被光刻胶覆盖的衬底(100)及氧化层(350)进行各向异性刻蚀，形成空位(450)；e.去除光刻胶，在所述空位(450)中淀积跃迁阻挡层(400)，直至所述跃迁阻挡层(400)与氧化层平齐；其中，所述空位(450)位于衬底(100)表面，其深度小于2nm，长度小于栅极长度的1/3；f.对所述伪栅空位中的所述氧化层(350)和所述跃迁阻挡层(400)进行刻蚀，去除氧化层(350)以及部分的所述跃迁阻挡层(400)，并使所述跃迁阻挡层(400)表面与所述衬底(100)表面平齐；g.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。