[发明专利]一种高一致性的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310471167.1 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103515534A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄如;余牧溪;蔡一茂;方亦陈;潘越;黎明 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高一致性的阻变存储器及其制备方法，采用衬底硅的图形化区域做底电极并与选择性重掺杂相结合的方法，通过选择合适的离子注入方向，使电场能可控的集中到局域的尖峰范围内，从而使每次操作以及每个器件的阻变行为发生在同一位置，进而有效提高器件一致性。本发明采用较简单的工艺方法，即可制备高一致性阻变存储器，同时避免采用贵金属Pt做电极，更有利于工艺集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一致性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高一致性的阻变存储器，包括：衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜和顶电极，其特征在于，所述绝缘层是沉积于衬底上的图形化绝缘层，所述底电极是对衬底图形化区域进行选择性重掺杂形成的尖峰状结构。
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