[发明专利]半导体发光元件、发光装置

摘要

本发明的课题是在采用Ⅲ族氮化物半导体输出呈现绿色的波长的光的半导体发光元件中，降低输出的光的发光波长的分布，使单色性提高。半导体发光元件（1）具备：含有n型杂质（Si）的n型覆盖层（142）、在n型覆盖层（142）上层叠的发光层（150）、包含含有p型杂质（Mg）并且在发光层（150）上层叠的p型覆盖层（161）的p型半导体层（160）。发光层（150）具备第1势垒层（1511）～第5势垒层（1515）、和第1阱层（1521）～第5阱层（1524），具有由2个势垒层夹持1个阱层的多量子阱结构。并且，p型覆盖层（161）的厚度设定为第1阱层（1521）～第4阱层（1524）的每一层的厚度的3倍以下。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，包含：n型半导体层，其由掺杂有n型杂质的Ⅲ族氮化物半导体构成；发光层，其在所述n型半导体层上层叠，由Ⅲ族氮化物半导体构成，并且通过通电发出500nm～570nm的波长的光；和p型半导体层，其具有在所述发光层上层叠并且用于该发光层中的载流子的封入的封入层，由掺杂有p型杂质的Ⅲ族氮化物半导体构成，所述发光层具备：由Ⅲ族氮化物半导体构成的4层以上的阱层；和5层以上的势垒层，其由带隙比所述阱层大的Ⅲ族氮化物半导体构成，从两侧夹持4层以上的该阱层的每一层，并且包含与所述n型半导体层连接的n侧势垒层、和在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接的p侧势垒层，所述封入层的厚度是4层以上的所述阱层的每一层的厚度的3倍以下。