[发明专利]封装片被覆半导体元件、其制造方法、半导体装置以及其制造方法在审
| 申请号： | 201310465290.2 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103715337A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 片山博之;近藤隆;江部悠纪;三谷宗久;大薮恭也 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及封装片被覆半导体元件、其制造方法、半导体装置以及其制造方法，所述封装片被覆半导体元件的制造方法包括如下工序：半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件；以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆多个半导体元件、并且在相互邻接的半导体元件间形成空间。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 被覆 半导体 元件 制造 方法 装置 及其 | ||
【主权项】：
一种封装片被覆半导体元件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：半导体元件配置工序，相互隔着间隔地配置多个半导体元件，以及，封装片配置工序，对封装片进行配置，以使其被覆所述多个半导体元件、并且在相互邻接的所述半导体元件间形成空间。
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