[发明专利]一种OLED器件及其制作方法无效
申请号: | 201310462670.0 | 申请日: | 2013-09-30 |
公开(公告)号: | CN103474586A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 李艳青;欧清东;唐建新;周雷 | 申请(专利权)人: | 苏州大学张家港工业技术研究院 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215600 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种OLED器件及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一表面的第一电极层、发光层、介于所述第一电极层与所述发光层之间的第一电荷传输层、第二电极层、介于所述第二电极层与所述发光层之间的第二电荷传输层,其中,所述衬底另一表面设有纳米凹凸结构层,所述纳米凹凸结构层上具有呈准周期或非周期性形状、且其折射率沿出射光方向呈梯度变化的第一纳米凹凸结构;本发明不仅有效提高OLED器件的外量子提取效率,而且制作工序简单、成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种OLED器件,包括衬底、位于所述衬底一表面的第一电极层、发光层、介于所述第一电极层与所述发光层之间的第一电荷传输层、第二电极层、介于所述第二电极层与所述发光层之间的第二电荷传输层,其特征在于,所述衬底另一表面设有纳米凹凸结构层,所述纳米凹凸结构层上具有呈准周期或非周期性形状、且其折射率呈出射方向梯度变化的第一纳米凹凸结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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