[发明专利]一种管内化学气相沉积制备薄膜的方法及装置有效
申请号: | 201310459850.3 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103484829A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 赵松;张永辉;肖志超;侯卫权;苏君明 | 申请(专利权)人: | 西安超码科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/44;C23C16/54 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种管内化学气相沉积制备薄膜的装置,包括反应室,所述反应室上开有供管状工件穿过的进料口和出料口,所述进料口和出料口分别布设在反应室两侧,所述反应室上且位于出料口上方设置有保护气入口,所述反应室上且位于进料口下方设置有保护气出口,所述反应室内部设置有用于对位于反应室内的管状工件进行加热的加热单元。另外,本发明还公开了利用该装置进行管内化学气相沉积制备薄膜的方法。本发明的装置结构简单,成本低,适合各类耐温性较好的管状工件实现管内镀膜,可实现多根管状工件同步镀膜,效率高,适合大规模推广应用,也可实现长管状工件的连续化学沉积。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 制备 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种管内化学气相沉积制备薄膜的装置,其特征在于,包括反应室(1),所述反应室(1)上开有供管状工件(3)穿过的进料口(1‑1)和出料口(1‑2),所述进料口(1‑1)和出料口(1‑2)分别布设在反应室(1)两侧,所述反应室(1)上且位于出料口(1‑2)上方设置有保护气入口(6),所述反应室(1)上且位于进料口(1‑1)下方设置有保护气出口(7),所述反应室(1)内部设置有用于对位于反应室(1)内的管状工件(3)进行加热的加热单元(2)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的