[发明专利]半导体装置及其驱动方法

摘要

半导体装置及其驱动方法，可缩短导通时间。在最左侧的槽（26）与左起第3个槽（26）中，仅在右侧形成有n⁺层（29），在左起第2个槽（26）和最右侧的槽（26）中，仅在左侧形成有n⁺层（29）。通过该结构，在第1槽间区域中，形成有n⁺层（29）的两侧彼此相对，在第2槽间区域中，没有形成n⁺层（29）的两侧彼此相对。层间绝缘膜（32）中的发射极连接开口部（321）仅在第1槽间区域中形成，不在第2槽间区域中形成。因此，能够近似地认为第2槽间区域中的p^-层（25）相对于第1槽间区域中的p^-层（25）或者发射极电极（31）浮置。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，在第1导电型的第1半导体区域上形成有与所述第1导电型相反的第2导电型的第2半导体区域，在所述第2半导体区域的表面上局部地形成有所述第1导电型的第3半导体区域，在所述第2半导体区域露出的表面上形成有栅绝缘膜，所述半导体装置具有：形成在该栅绝缘膜上的栅电极、与所述第3半导体区域以及所述第2半导体区域接触的公共电极、以及形成在所述第1半导体区域的下侧的背面电极，所述第2半导体区域在俯视时具有：第2半导体区域的第1部分，其与所述公共电极电连接，并经由所述栅绝缘膜与所述栅电极进行电容耦合；以及第2半导体区域的第2部分，其形成为该第2半导体区域的第2部分与所述公共电极之间的电阻被设定得高于所述公共电极与所述第2半导体区域的第1部分之间的电阻。