[发明专利]用于半导体器件的高k介电网格结构

摘要

本发明提供了一种图像传感器件及用于制造图像传感器件的方法。示例性图像传感器件包括具有正面及背面的衬底，设置在衬底正面处的多个传感器元件。多个传感器元件的每个可操作以感测投射向衬底背面的辐射。图像传感器也包括设置在衬底背面上方的高k介电网格。高k介电网格具有高k介电沟槽及侧壁。图像传感器也包括设置在高k介电网格上方的滤色器及微透镜。本发明还公开了用于半导体器件的高K介电网格结构。

主权项

一种图像传感器件，包括：衬底，具有正面和背面；多个传感元件，设置在所述衬底的所述正面，所述多个传感元件的每个都可操作以感测投射向所述衬底的背面的辐射；高k介电网格，设置在所述衬底的背面上方，所述高k介电网格包括：高k介电沟槽，具有作为其底部的高k介电层；和侧壁，由所述高k介电层的一部分形成；滤色器，设置在所述高k介电网格上方；以及微透镜，设置在所述高k介电网格上方。