[发明专利]用于半导体器件的高k介电网格结构

权利要求书

1.一种图像传感器件，包括：

衬底，具有正面和背面；

多个传感元件，设置在所述衬底的所述正面，所述多个传感元件的每个都可操作以感测投射向所述衬底的背面的辐射；

高k介电网格，设置在所述衬底的背面上方，所述高k介电网格包括：

高k介电沟槽，具有作为其底部的高k介电层；和

侧壁，由所述高k介电层的一部分形成；

滤色器，设置在所述高k介电网格上方；以及

微透镜，设置在所述高k介电网格上方。

2.根据权利要求1所述的图像传感器件，其中，所述高k介电沟槽与相应的传感元件对准。

3.根据权利要求2所述的图像传感器件，其中，所述滤色器与相应的高k介电沟槽对准。

4.根据权利要求3所述的图像传感器件，其中，所述滤色器设置在所述高k介电沟槽中。

5.一种器件，包括：

衬底，具有正面和背面；

多个传感元件，设置在所述衬底的所述正面，所述多个传感元件可操作以感测投射向所述衬底的所述背面的辐射；

多个滤色器及微透镜，设置在所述衬底的背面上方且与相应的传感元件对准；以及

高k介电网格，设置在所述衬底的背面上方，使得所述多个滤色器及微透镜中的每个均通过高k介电网格在水平方向上彼此分隔开，其中，所述高k介电网格包括：

高k介电沟槽，具有作为其底部的高k介电层；和

侧壁，由所述高k介电层的一部分形成。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述滤色器设置在所述高k介电沟槽上方。

7.一种方法，包括：

提供具有正面和背面的衬底，其中，多个传感元件设置在所述衬底的所述正面，所述多个传感元件中的每个都可操作以感测投射向所述衬底的背面的辐射；

在所述衬底的背面上方沉积高k介电层；

去除所述高k介电层的一部分以形成高k介电网格；以及

在所述高k介电网格上方形成滤色器及微透镜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述高k介电网格包括：

在所述高k介电层上方形成图案化的硬掩膜；以及

穿过所述图案化的硬掩膜蚀刻所述高k介电层的一部分以形成高k介电沟槽及侧壁，其中，剩余的高k介电层形成所述高k介电沟槽的底部。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述衬底和所述高k介电层之间沉积底部抗反射涂布（BARC）层；以及

在所述高k介电网格的侧壁上方形成覆盖层。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在形成所述滤色器和所述微透镜之前，将不同的介电层填充到所述高k介电沟槽中；以及

平坦化所述不同的介电层的顶面使所述不同的介电层的顶面与所述高k介电网格的顶面齐平。