[发明专利]抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路无效
| 申请号： | 201310449608.8 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103475355A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生;郝乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器(101)，输入端接输入信号，输出第一缓冲信号(out1)，用于消除“低高低”型脉冲；第二缓冲器(102)，输入端接输入信号，输出第二缓冲信号(out2)，用于消除“高低高”型脉冲，4个MOS管和输出反相器，使得第一缓冲信号(out1)和第二缓冲信号(out2)电平相同时，输出反相器输出(out put)等于第一缓冲信号(out1)和第二缓冲信号(out2)的电平，否则保持不变，从而实现了抗单粒子脉冲。本发明所需MOS 数量少，面积小、滤除效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 瞬态 脉冲 cmos 电路 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器(101)，其输入端接收输入信号(i nput)，其输出端输出第一缓冲信号(out1)，用于消除“低高低”型脉冲；第二缓冲器(102)，其输入端接收输入信号(i nput)，其输出端输出第二缓冲信号(out2)，用于消除“高低高”型脉冲；第一PMOS管(103)、第二PMOS管(104)、第一NMOS管(105)和第二NMOS管(106)，其中第一PMOS管(103)的源端接电源电压，第一PMOS管(103)的漏端连接第二PMOS管(104)的源端，第二PMOS管(104)的漏端连接第一NMOS管(105)的漏端，第一NMOS管(105)的源端连接第二NMOS管(106)的漏端，第二NMOS管(106)的源端接地：输出反相器(107)，其输入端连接第一NMOS管(105)的漏端，输出反相器(107)的输出信号(out put)作为抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路的输出信号，其中第一PMOS管(103)的栅极连接第二缓冲信号(out2)和第一缓冲信号(out1)中的任一个，第二PMOS管(104)的栅极连接第二缓冲信号(out2)和第一缓冲信号(out1)中的另一个；第一NMOS管(105)的栅极连接第二缓冲信号(out2)和第一缓冲信号(out1)中的任一个，第二PMOS管(106)的栅极连接第二缓冲信号(out2)和第一缓冲信号(out1)中的另一个。
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