[发明专利]一种以回收硅片线锯屑粉制备富α相氮化硅-碳化硅复合粉体的方法无效
| 申请号： | 201310448694.0 | 申请日： | 2013-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103539459A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 尹传强;周浪 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/565;C04B35/626 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以回收提纯硅片线锯屑粉制备富α相氮化硅-碳化硅粉体的方法。它采用线锯砂浆回收尾料，包括硅片线锯砂浆在线回收尾料和离线回收尾料等为原料，在气氛保护炉中氮化，然后粉磨得到富α相氮化硅-碳化硅粉体，所得产品纯度高，α相含量高，氧含量<1.5%，粉体烧结活性高，在生产过程中无需添加稀释剂和催化剂，工艺简单，成本低廉，易于大规模生产，可用于实现硅片线锯砂浆回收尾料的高附加值利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 回收 硅片 锯屑 制备 氮化 碳化硅 复合 方法 | ||
【主权项】：
一种以回收提纯硅片线锯屑粉制备富α相氮化硅‑碳化硅粉体的方法，其特征在于：采用气氛保护炉对硅片线锯屑粉进行多步氮化，保护气氛为氮气、氮氢混合气、氨气中一种或几种混合气体，氩气作为辅助气体，氮化温度分两段或多段进行，第一阶段温度为600℃~900℃，最高温度为1300℃~1380℃，保温时间以原料的用量来确定，然后对氮化产物进行粉磨得到富α相氮化硅‑碳化硅粉体。
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