[发明专利]可变移相器、半导体集成电路和移相方法有效
| 申请号： | 201310445567.5 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103856177B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 佐藤优 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H03H7/20 | 分类号： | H03H7/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 石海霞,郑特强 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种可变移相器、半导体集成电路和移相方法。该可变移相器包括传输线，响应于特定频率的输入信号从一对输出端口输出正交信号；合成器，包括与该对输出端口的第一端口连接的第一晶体管和与该对输出端口的第二端口连接的第二晶体管，当输入信号被输入时，提取以根据它们各自负载阻抗的相位从传输线的一对输出端口输出的信号，并使用第一和第二晶体管放大并合成该信号；以及相位控制器，通过控制合成器的第一和第二晶体管中每一个的放大操作来控制由合成器合成和输出的输出信号的相位。该可变移相器能够通过使用单个传输线使得相位所使用的可变相位范围是90°或更大，由此能够抑制器件表面积的增大。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 移相器 半导体 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
一种可变移相器，包括：传输线，响应于特定频率的输入信号而从一对输出端口输出正交信号；合成器，包括与所述一对输出端口的第一端口连接的第一晶体管和与所述一对输出端口的第二端口连接的第二晶体管，使得所述第一晶体管和所述第二晶体管的寄生电容变成所述传输线的负载阻抗，并且当所述输入信号被输入到所述传输线时，所述合成器将具有根据它们各自负载阻抗的相位差的从所述传输线的一对输出端口输出的信号输入至所述第一晶体管和所述第二晶体管，并将被所述第一晶体管和所述第二晶体管放大并输出的信号合成；以及相位控制器，通过控制所述合成器的所述第一晶体管和所述第二晶体管中每一个的放大操作来控制由所述合成器合成并输出的输出信号的相位。
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