[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
申请号: | 201310426516.8 | 申请日: | 2013-09-18 |
公开(公告)号: | CN103811499B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 朴智荣;丁有光;金湘甲;李俊杰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/50;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括:基板;栅线,每条栅线包括栅极垫;栅绝缘层;数据线和漏电极,每条数据线包括连接到源电极的数据垫;第一钝化层,设置在数据线和漏电极上;第一电场产生电极;第二钝化层,设置在第一电场产生电极上;以及第二电场产生电极。栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分栅极垫的第一接触孔,第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分数据垫的第二接触孔,第一接触孔和第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构,该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:基板;多条栅线,设置在所述基板上,其中每条栅线包括栅极垫;栅绝缘层,设置在所述多条栅线上;多条数据线和漏电极,设置在所述栅绝缘层上,其中每条数据线包括连接到源电极的数据垫;第一钝化层,设置在所述多条数据线和所述漏电极上;第一电场产生电极,设置在所述第一钝化层上;第二钝化层,设置在所述第一电场产生电极上;以及第二电场产生电极,设置在所述第二钝化层上,其中所述第一钝化层和所述第二钝化层为无机材料,所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述栅极垫的第一接触孔,所述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述数据垫的第二接触孔,所述第一接触孔和所述第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构,该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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