[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

说明书

本发明提供了薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；栅线，每条栅线包括栅极垫；栅绝缘层；数据线和漏电极，每条数据线包括连接到源电极的数据垫；第一钝化层，设置在数据线和漏电极上；第一电场产生电极；第二钝化层，设置在第一电场产生电极上；以及第二电场产生电极。栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分栅极垫的第一接触孔，第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分数据垫的第二接触孔，第一接触孔和第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构，该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。

技术领域

本发明的示范实施方式涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器包括其上形成电场产生电极(诸如像素电极和公共电极)的两个显示面板以及插置在这两个显示面板之间的液晶层。液晶显示器通过施加电压到电场产生电极而在液晶层中产生电场，通过产生的电场确定液晶层的液晶分子的方向，以及控制入射光的偏振以显示图像。

在液晶显示器中，用于在液晶层中产生电场的两个电场产生电极可以形成在薄膜晶体管阵列面板上。

当两个电场产生电极形成在薄膜晶体管阵列面板上时，多个绝缘层可以设置在薄膜晶体管和电场产生电极之间。多个绝缘层当中的至少一个层可以是有机绝缘层。当用于电连接薄膜晶体管和电场产生电极的接触孔形成在多个绝缘层中时，接触孔的宽度会被蚀刻每个绝缘层的工艺增大。当接触孔的宽度增大时，使用该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器的开口率会降低。

当接触孔的横截面具有在多个绝缘层中形成接触孔时由蚀刻绝缘层引起的倒置锥形结构(reverse taper structure)时，形成在绝缘层上的电场产生电极会在接触孔内断开。

发明内容

本发明的示范实施方式提供了一种薄膜晶体管阵列面板(其中两个电场产生电极形成在薄膜晶体管阵列面板上，并防止接触孔的宽度增大)及其制造方法。

本发明的示范实施方式提供一种薄膜晶体管阵列面板(其中接触孔的横截面形成为具有正锥形结构，并防止电场产生电极在接触孔内部断开)及其制造方法。

本发明的示范实施方式提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；多条栅线，设置在基板上并包括栅极垫；栅绝缘层，设置在多条栅线上；多条数据线和漏电极，设置在栅绝缘层上，每条数据线包括源电极和数据垫；第一钝化层，设置在多条数据线和漏电极上；第一电场产生电极，设置在第一钝化层上；第二钝化层，设置在第一电场产生电极上；以及第二电场产生电极，设置在第二钝化层上。第一钝化层和第二钝化层可以是无机材料，栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层可以具有暴露栅极垫的一部分的第一接触孔。第一钝化层和第二钝化层可以具有暴露数据垫的一部分的第二接触孔。第一接触孔和第二接触孔中的一个或多个可以具有正锥形结构，在该正锥形结构中，截面区域从下侧到上侧变宽。

栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层中的至少一个可以包括下层和设置在下层上的上层，上层的接触孔的截面区域可以比下层的接触孔的截面区域大。

第一钝化层可以是单层。

第二钝化层可以是包括下层和设置在下层上的上层的双层。

第一钝化层的蚀刻速度可以与第二钝化层的下层的蚀刻速度相同或比第二钝化层的下层的蚀刻速度慢，第二钝化层的下层的蚀刻速度可以比第二钝化层的上层的蚀刻速度慢。

栅绝缘层的蚀刻速度可以比第一钝化层的蚀刻速度慢。

第一钝化层的氮和氢的结合浓度(combination concentration)与硅和氢的结合浓度的比率可以几乎等于或小于第二钝化层的下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率，并且第二钝化层的下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率可以小于第二钝化层的上层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率。