[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

多条栅线，设置在所述基板上，其中每条栅线包括栅极垫；

栅绝缘层，设置在所述多条栅线上；

多条数据线和漏电极，设置在所述栅绝缘层上，其中每条数据线包括连接到源电极的数据垫；

第一钝化层，设置在所述多条数据线和所述漏电极上；

第一电场产生电极，设置在所述第一钝化层上；

第二钝化层，设置在所述第一电场产生电极上；以及

第二电场产生电极，设置在所述第二钝化层上，

其中所述第一钝化层和所述第二钝化层为无机材料，所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述栅极垫的第一接触孔，所述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述数据垫的第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构，该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个包括下层和设置在所述下层上的上层，以及

在所述上层中的接触孔的区域比在所述下层中的接触孔的区域大，其中所述接触孔是所述第一接触孔、所述第二接触孔或第三接触孔。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第一钝化层是单层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第二钝化层是包括所述下层和所述上层的双层。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第一钝化层的蚀刻速度与所述第二钝化层的所述下层的蚀刻速度相同或比所述第二钝化层的所述下层的蚀刻速度慢，所述第二钝化层的所述下层的蚀刻速度比所述第二钝化层的所述上层的蚀刻速度慢。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述栅绝缘层的蚀刻速度比所述第一钝化层的蚀刻速度慢。

7.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第一钝化层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率等于或小于所述第二钝化层的所述下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率，以及

所述第二钝化层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率小于所述第二钝化层的所述上层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率。

8.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括：

有机层，设置在所述第一钝化层和所述第一电场产生电极之间，其中

所述有机层不设置在与所述栅极垫和所述数据垫相应的区域中。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述漏电极的漏电极接触孔，

所述第二电场产生电极通过所述漏电极接触孔与所述漏电极连接，以及

所述漏电极接触孔具有正锥形结构，该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个包括下层和设置在所述下层上的上层，以及

在所述上层中的接触孔的区域比在所述下层中的所述接触孔的区域大，其中所述接触孔是所述第一接触孔、所述第二接触孔或第三接触孔。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第一钝化层是单层。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述第二钝化层是包括所述下层和所述上层的双层。