[发明专利]半导体结构

摘要

本发明是有关于一种半导体结构，包含有载体、第一保护层、第二保护层及第三保护层，该第一保护层的第一表面具有第一抗应力区，该第二保护层显露该第一抗应力区，该第二保护层具有第一侧面及第二侧面，由该第一侧面的第一底边延伸形成的第一延伸线与由该第二侧面的第二底边延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点，该第三保护层具有第三侧面及第四侧面，该第三侧面在该第一表面形成有第一投影线，该第一投影线的延伸线与该第二底边相交形成有第一交点，该第四侧面在该第一表面形成有第二投影线，该第二投影线的延伸线与该第一底边相交形成有第二交点，该第一基点、该第一交点与该第二交点所形成的区域为该第一抗应力区。

主权项

一种半导体结构，其特征在于：其具有角隅，该半导体结构包含：载体，其具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区；第一保护层，其设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该角隅；第二保护层，其设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面、第一侧面及第二侧面，该第二表面具有第二设置区及位于该第二设置区外侧的第二显露区，该第一侧面具有第一底边，该第二侧面具有第二底边，由该第一底边延伸形成的第一延伸线与由该第二底边延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点；以及第三保护层，其设置于该第二设置区，该第三保护层具有第三侧面及第四侧面，该第三侧面在该第一保护层的该第一表面形成有第一投影线，该第一投影线的延伸线与该第二侧面的该第二底边相交形成有第一交点，该第四侧面在该第一保护层的该第一表面形成有第二投影线，该第二投影线的延伸线与该第一侧面的该第一底边相交形成有第二交点，该第一基点、该第一交点与该第二交点所形成的区域为该第一抗应力区。