[发明专利]用于检查衬底的静电的装置及制造衬底的方法有效
申请号: | 201310414785.2 | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN103839848B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 安正铉;金京孝 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于会玲;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种用于检查衬底的静电的装置及制造衬底的方法。该装置包括探针、布线和测量单元,该探针具有与需检查的衬底基本相同形状并且包括由传导性材料制成的接触表面,该布线连接至该探针的接触表面并且输送由该探针收集的静电,该测量单元连接至该布线、从该布线接收静电并且分析静电的强度。 | ||
搜索关键词: | 用于 检查 衬底 静电 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于检查衬底的静电的装置,所述装置包括:包括探测表面的探针,其中所述探测表面具有与需检查的衬底相同的形状和相同的尺寸,并且其中所述探测表面由传导性材料制成;布线,连接至所述探针的所述探测表面并且输送由所述探针收集的静电;以及测量单元,连接至所述布线,所述测量单元从所述布线接收静电并且分析静电的强度,其中所述探针被配置为可移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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