[发明专利]用于检查衬底的静电的装置及制造衬底的方法有效
申请号: | 201310414785.2 | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN103839848B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 安正铉;金京孝 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于会玲;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检查 衬底 静电 装置 制造 方法 | ||
1.一种用于检查衬底的静电的装置,所述装置包括:
包括探测表面的探针,其中所述探测表面具有与需检查的衬底相同的形状和相同的尺寸,并且其中所述探测表面由传导性材料制成;
布线,连接至所述探针的所述探测表面并且输送由所述探针收集的静电;以及
测量单元,连接至所述布线,所述测量单元从所述布线接收静电并且分析静电的强度,
其中所述探针被配置为可移动。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述测量单元包括:
静电测量单元,从所述探针接收静电并且测量静电的量,以提供测量静电值;
存储器,存储参考静电值;以及
比较器,将从所述静电测量单元接收的所述测量静电值与从所述存储器接收的所述参考静电值进行比较。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述探针包括多个子探针,所述多个子探针共同具有与所述需检查的衬底相同的尺寸。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述布线包括分别连接至所述多个子探针的多个布线。
5.根据权利要求1所述的装置,进一步包括控制单元,所述控制单元根据由所述测量单元分析的静电的强度控制过程条件。
6.一种用于检查衬底的静电的装置,所述装置包括:
包括凹陷表面的探针,所述凹陷表面是由传导性材料制成的探测表面;
布线,连接至所述探针的所述探测表面并且输送由所述探针收集的静电;以及
测量单元,连接至所述布线,所述测量单元从所述布线接收静电并且分析静电的强度,
其中所述探针被配置为可移动,
其中所述探针被应用在模拟处理过程中,其中所述模拟处理过程包括将流体喷射到所述衬底的过程,并且
其中所述探针位于所述衬底侧面或上方的位置处,并且在所述模拟处理过程期间收集跳离所述衬底的所述流体。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述测量单元包括:
静电测量单元,从所述探针接收静电并且测量静电的量,以提供测量静电值;
存储器,存储参考静电值;以及
比较器,将从所述静电测量单元接收的所述测量静电值与从所述存储器接收的所述参考静电值进行比较。
8.根据权利要求6所述的装置,其中所述探针包括面向彼此的第一探针和第二探针。
9.根据权利要求6所述的装置,其中所述探针进一步包括凸出表面,并且其中所述探针是包括多个孔的网眼式探针,所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面。
10.根据权利要求6所述的装置,其中所述探针进一步包括凸出表面,其中所述探针包括沿一方向并排布置的第一探针、第二探针和第三探针,其中:
所述第一探针是包括多个孔的网眼式探针,所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面;以及
所述第二探针和所述第三探针位于所述第一探针的两侧。
11.根据权利要求6所述的装置,进一步包括控制单元,所述控制单元根据由所述测量单元分析的静电的强度控制过程条件。
12.一种制造衬底的方法,所述方法包括:
提供具有探测表面的探针,其中所述探测表面具有与需检查的衬底相同的形状和相同的尺寸,其中所述探测表面由传导性材料构成,并且所述探针位于放置所述衬底的位置;
向所述探针应用模拟处理过程;
接收在应用所述模拟处理过程中由所述探测表面收集的静电,并且测量静电量,以提供测量静电值;
将所述测量静电值与参考静电值进行比较;以及
确定所述测量静电值是大于还是小于所述参考静电值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造