[发明专利]用于检查衬底的静电的装置及制造衬底的方法有效
申请号: | 201310414785.2 | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN103839848B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 安正铉;金京孝 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于会玲;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检查 衬底 静电 装置 制造 方法 | ||
本发明提供一种用于检查衬底的静电的装置及制造衬底的方法。该装置包括探针、布线和测量单元,该探针具有与需检查的衬底基本相同形状并且包括由传导性材料制成的接触表面,该布线连接至该探针的接触表面并且输送由该探针收集的静电,该测量单元连接至该布线、从该布线接收静电并且分析静电的强度。
技术领域
实施例涉及检查衬底的静电的装置和制造衬底的方法。
背景技术
用于诸如有机发光显示器、液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)之类的平板显示器(FPD)的衬底在被制成最终产品以前,经历许多制造过程。
这些制造过程之一可以是使用像反应气体这样的气体或使用像液体化学制品这样的液体的流体处理过程。流体处理过程可以是衬底清洁过程、薄膜沉积过程、涂覆过程等。
发明内容
实施例关于一种用于检查衬底的静电的装置,该装置包括探针、布线和测量单元,所述探针具有与需检查的衬底基本相同的形状,所述探针包括由传导性材料构成的接触表面,所述布线连接至所述探针的所述接触表面并且输送由所述探针收集的静电,所述测量单元连接至所述布线,所述测量单元从所述布线接收静电并且分析静电的强度。
所述测量单元可以包括静电测量单元、存储器和比较器,所述静电测量单元从所述探针接收静电并且测量静电的量,所述存储器存储参考静电值,所述比较器将从所述静电测量单元接收的测量静电值与从所述存储器接收的所述参考静电值进行比较。
所述探针可以包括多个子探针,所述多个子探针共同具有与所述需检查的衬底相同的尺寸。
所述布线可以包括分别连接至所述多个子探针的多个布线。
所述装置可以进一步包括控制单元,所述控制单元根据由所述测量单元分析的静电的强度控制过程条件。
实施例还关于一种用于检查衬底的静电的装置,该装置包括探针、布线和测量单元,所述探针包括凸出表面和凹陷表面,所述凸出表面和所述凹陷表面中至少之一是由传导性材料构成的接触表面,所述布线连接至所述探针的所述接触表面并且输送由所述探针收集的静电,所述测量单元连接至所述布线,所述测量单元从所述布线接收静电并且分析静电的强度。
所述测量单元可以包括静电测量单元、存储器和比较器,所述静电测量单元从所述探针接收静电并且测量静电的量,所述存储器存储参考静电值,所述比较器将从所述静电测量单元接收的测量静电值与从所述存储器接收的所述参考静电值进行比较。
所述探针可以包括面向彼此的第一探针和第二探针。
所述探针可以是包括多个孔的网眼式探针,所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面。
所述探针可以包括沿一方向并排布置的第一探针、第二探针和第三探针。所述第一探针可以是包括多个孔的网眼式探针,所述多个孔穿透所述凸出表面和所述凹陷表面。所述第二探针和所述第三探针可以位于所述第一探针的两侧。
所述装置可以进一步包括控制单元,所述控制单元根据由所述测量单元分析的静电的强度控制过程条件。
实施例还关于一种制造衬底的方法,该方法包括:提供具有与需检查的衬底基本相同形状的探针,所述探针包括由传导性材料构成的接触表面,并且所述探针位于放置所述衬底的位置;向所述探针应用模拟处理过程;接收在应用所述模拟处理过程中由所述探针的所述接触表面收集的静电并且测量静电的量以提供测量静电值;将所述测量静电值与参考静电值进行比较;以及确定所述测量静电值是大于还是小于所述参考静电值。
所述方法可以进一步包括:当所述测量静电值小于所述参考静电值时在所述模拟处理过程的过程条件下执行真实处理过程,以及当所述测量静电值大于所述参考静电值时调整所述真实处理过程的过程条件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造