[发明专利]半导体存储装置

摘要

根据一个实施方式，半导体存储装置设有NAND串和读出放大器。NAND串包含保存3级别以上的值的存储单元晶体管，且NAND串一端连接于位线，在另一端被施加单元源电压。读出放大器读出保存到了存储单元晶体管的值。半导体存储装置在识别保存到了存储单元晶体管的值为阈值电压分布最低的值还是其以外的值的情况下，将所述单元源电压设为第1电压；在识别保存到了存储单元晶体管的值为阈值电压分布最高的值还是其以外的值的情况下，将单元源电压设为比第1电压低的第2电压，在识别为所保存的值为最高的值以外的值的情况下，将位线的电压设为第2电压。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，具备：NAND串，其包含保存3级别以上的值的存储单元晶体管，且该NAND串一端连接于位线，在另一端被施加单元源电压；以及读出放大器，其读出保存到了所述存储单元晶体管的值；其中，在识别保存到了所述存储单元晶体管的值为阈值电压分布最低的值还是其以外的值的情况下，将所述单元源电压设为第1电压；在识别保存到了所述存储单元晶体管的值为阈值电压分布最高的值还是其以外的值的情况下，将所述单元源电压设为比所述第1电压低的第2电压，在识别为所述保存的值为所述最高的值以外的值的情况下，将所述位线的电压设为所述第2电压。