[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

NAND串，其包含保存3级别以上的值的存储单元晶体管，且该NAND串一端连接于位线，在另一端被施加单元源电压；以及

读出放大器，其读出保存到了所述存储单元晶体管的值；

其中，在识别保存到了所述存储单元晶体管的值为阈值电压分布最低的值还是其以外的值的情况下，将所述单元源电压设为第1电压；

在识别保存到了所述存储单元晶体管的值为阈值电压分布最高的值还是其以外的值的情况下，将所述单元源电压设为比所述第1电压低的第2电压，在识别为所述保存的值为所述最高的值以外的值的情况下，将所述位线的电压设为所述第2电压。

2.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在所述存储单元晶体管中写入4级别的值；

在识别保存到了所述存储单元晶体管的值为阈值电压分布最低的值或者第2低的值还是阈值电压分布最高的值或者第2高的值的情况下，将所述单元源电压设为所述第2电压，在识别为所述保存的值为所述最低的值或者第2低的值的情况下，将所述位线的电压设为所述第2电压。

3.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述读出放大器具有：

第1晶体管，其一端连接于所述位线，在另一端被施加所述单元源电压；

第1数据锁存器；以及

第2数据锁存器；

在识别保存到了所述存储单元晶体管的值为阈值电压分布最低的值还是其以外的值的情况下，基于从所述存储单元晶体管读出的值确定使所述第2数据锁存器保持的第2保持电压；

在识别保存到了所述存储单元晶体管的值为阈值电压分布最高的值还是其以外的值的情况下，基于从所述存储单元晶体管读出的值确定使所述第1数据锁存器保持的第1保持电压；

所述第2保持电压为与所述第1保持电压不同的电压；

保持于所述第1数据锁存器的第1保持电压被施加于所述第1晶体管的栅；

保持于所述第2数据锁存器的第2保持电压不被施加于所述第1晶体管的栅。

4.权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第1晶体管为Nch MOSFET。

5.权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第1数据锁存器包括连接为环状的第1反相器和第2反相器；

所述第2数据锁存器包括连接为环状的第3反相器和第4反相器。

6.权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述读出放大器具有串联连接的第2至第4晶体管；

所述第2晶体管在一端被施加电源电压，在栅被施加所述第1保持电压；

所述第3晶体管一端连接于所述第2晶体管的另一端，在栅被施加第3电压；

所述第4晶体管一端连接于所述第3晶体管的另一端，在栅被施加第4电压，另一端连接于所述第1晶体管的一端以及所述位线。

7.权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第2晶体管为Pch MOSFET；

所述第3晶体管和所述第4晶体管为Nch MOSFET。

8.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述NAND串串联连接有第1选择晶体管、串联连接的多个存储单元晶体管、以及第2选择晶体管；

所述第1选择晶体管一端连接于所述位线，另一端连接于所述多个存储单元晶体管的一端；

所述第2选择晶体管一端连接于所述多个存储单元晶体管的另一端，在另一端被施加所述单元源电压。

9.权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第1选择晶体管和所述第2选择晶体管为Nch MOSFET。

10.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第2电压为接地电压以上的电压。

11.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述存储单元晶体管为Nch浮栅晶体管或者具有MONOS构造的Nch晶体管。

12.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述半导体存储装置为NAND闪存。