[发明专利]一种半导体封装方法

摘要

本发明公开了一种半导体封装方法，包括将晶圆的金属触点增厚，在晶圆背部制作与金属触点位置对应的梯形槽，再在梯形槽底部制作连通到金属触点的表面的孔；本发明所述的半导体封装方法，在晶圆基材背部制作与金属触点位置对应的梯形槽，再在梯形槽底部制作连通到金属触点的表面的孔，采用“Y”字型连接，替代了现有TSV工艺中的深孔“1”字型连接方式，能有效降低硅通孔的深宽比，降低了工艺难度，更容易实现产业化；焊盘表面金属增强化处理，既有可作为激光的停止层，也同时增加了焊盘的机械强度和电性能，提升产品的稳定性。

主权项

一种半导体封装方法，其特征在于，包括步骤：（1）将晶圆上的金属触点增厚，达到触点表面与晶圆顶表面的高度相一致；（2）将基板与晶圆多层键合；（3）在晶圆基材背部制作与金属触点位置对应的梯形槽，再在梯形槽底部制作连通到金属触点的表面的孔；（4）在晶圆基材背部的三维形貌表面形成一层绝缘层；（5）打开触点上方所形成的绝缘层，使金属触点暴露出来；（6）将暴露的金属触点通过导电介质延伸到绝缘层上方，形成与其他电性器件连接的连接线；（7）蚀刻导电介质，形成半导体组件间的性能连接；（8）利用微影技术定义出导电介质的电性焊接点的位置，在电性焊接点上生长导电凸块，形成触点阵列，完成结构封装。