[发明专利]一种新型的半导体封装方法

摘要

本发明公开了一种新型的半导体封装方法，包括在所述基板的同一侧面上制作内环和外环两圈金属垫，所述内环金属垫与芯片上的金属触点的位置相对应，且内外两圈的金属垫分别成对的在基板内导通，在所述的每个芯片上的金属触点和/或每个内环金属垫制作金属凸块，然后将芯片倒装焊接在基板上，在芯片背部制作与外环金属垫导通的金属线路和金属焊垫，在金属焊垫上制作输入输出金属凸点，完成芯片的封装。本发明所述的半导体封装方法，直接在芯片的金属触点上或基板的内环金属上制造金属凸块，然后芯片倒装焊接在基板上，芯片的金属触点下面的硅层是完整的，支撑力更牢固，不会出现断裂现象，产品的抗热冲击以及水汽冲击表现效果更佳。

主权项

一种新型的半导体封装方法，其特征在于，包括步骤：（1）提供具备功能区的晶圆和一基板， 所述晶圆的每个芯片上设有金属触点；（2）在所述基板的同一侧面上制作金属垫，所述金属垫包括内环和外环两圈金属垫，所述内环金属垫与步骤（1）所述的芯片上的金属触点的位置相对应，且内外两圈的金属垫分别成对的在基板内导通；（3）在所述的每个芯片上的金属触点和/或每个内环金属垫上制作金属凸块；（4）将晶圆上的每个芯片分割开来；所述芯片的分割，采用梯形切割刀片切割的方法，或采用等离子体气相蚀刻硅的方法，所述等离子体气相蚀刻硅的方法的具体步骤为：将芯片的切割道位置上方的硅蚀刻出“梯形”的沟槽，然后用切割刀片将晶圆表面剩余的结构层切割掉，形成单颗的芯片；（5）将芯片的金属触点与基板的内环金属垫对准，然后将芯片倒装焊接在基板上；（6）在芯片背面和基板底部露出的部分覆上一层绝缘层；（7）打开基板的外环金属垫处的绝缘层，使外环金属垫曝露出来；（8）在芯片背部的绝缘层上制作与外环金属垫导通的金属线路和金属焊垫；（9）在芯片背部制作一层防焊保护层，并把金属焊垫处的防焊保护层去除；（10）在金属焊垫上制作输入输出金属凸点；（11）切割基板，完成芯片的封装；所述晶圆上具有功能区，若所述基板为多层基板，最下层具有金属垫的一面的中间是镂空的；若所述基板为单层基板，所述单层基板的中部设有凹陷结构。