[发明专利]金属栅极结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201310395528.9 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104425575A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 郑存闵;何念葶;陈健豪;张净云;黄信富;蔡旻錞;孙启原;许启茂 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属栅极结构及其制作方法。该金属栅极结构包含一半导体基底、一栅极介电层、一多层结构的P型功函数层以及一导电金属层。栅极介电层设置于半导体基底上。多层结构的P型功函数层设置于栅极介电层上，且多层结构的P型功函数层包含至少一结晶状(crystalline)P型功函数层以及至少一非结晶状(amorphous)P型功函数层。此外，导电金属层设置于多层结构的P型功函数层上。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极结构，包括：栅极介电层，设置于一半导体基底上；多层结构的P型功函数层，设置于该栅极介电层上，其中该多层结构的P型功函数层包括至少一结晶状(crystalline)P型功函数层以及至少一非结晶状(amorphous)P型功函数层；以及导电金属层，设置于该多层结构的P型功函数层上。
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