[发明专利]NOR闪存单元的制作方法及NOR闪存单元

摘要

本发明公开了一种NOR闪存单元的制作方法，NOR闪存单元包含存储部分和外围电路部分，存储部分包含存储单元和位于存储单元一边的字线引出端，其特征在于，制作方法包含：在基板上形成氧化物-氮化物-氧化物（ONO）叠层、控制栅层和停止层；图案化字线引出端处的停止层以露出部分控制栅层；在露出的控制栅层上形成金属硅化物层；在停止层和金属硅化物层上形成介质层；在介质层中形成接触孔；在接触孔中形成金属互联以连接金属硅化物层和字线。本发明的NOR闪存单元的制作方法及NOR闪存单元通过在的控制栅层和金属互联之间形成一层金属硅化物层，减小了字线的电阻，提高了NOR闪存单元的运行速度。

主权项

一种NOR闪存单元的制作方法，所述NOR闪存单元包含存储部分和外围电路部分，所述存储部分包含存储单元和位于所述存储单元一边的字线引出端，其特征在于，所述制作方法包含：在基板上形成氧化物‑氮化物‑氧化物（ONO）叠层、控制栅层和停止层；图案化所述字线引出端处的停止层以露出部分所述控制栅层；在露出的控制栅层上形成金属硅化物层；在所述停止层和所述金属硅化物层上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔；在所述接触孔中形成金属互联以连接所述金属硅化物层和字线。