[发明专利]固体拍摄装置无效
| 申请号： | 201310389359.8 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103915456A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 早川二郎;依田友幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供固体拍摄装置。实施方式的固体拍摄装置具备：半导体基板，其具有像素区域以及周边电路区域且具有第1以及第2主面；布线结构，其设置在所述半导体基板的第1主面，具有电连接于所述周边电路区域的多个第1布线层；第2布线层，其在所述周边电路区域且在所述半导体基板的第2主面设置；第3布线层，其夹着绝缘层设置在所述第2布线层的上方；和多个贯通电极，其将所述第2以及第3布线层与所述布线结构电连接，贯通所述半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 拍摄 装置 | ||
【主权项】：
一种固体拍摄装置，其中，具备：半导体基板，其具有像素区域以及周边电路区域且具有第1以及第2主面；布线结构，其设置于所述半导体基板的第1主面，具有电连接于所述周边电路区域的多个第1布线层；第2布线层，其在所述周边电路区域且在所述半导体基板的第2主面设置；第3布线层，其夹着绝缘层设置在所述第2布线层的上方；和多个贯通电极，其将所述第2以及第3布线层与所述布线结构电连接，贯通所述半导体基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310389359.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
