[发明专利]固体拍摄装置无效
申请号: | 201310389359.8 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN103915456A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 早川二郎;依田友幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 万利军;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 拍摄 装置 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及固体拍摄装置。
背景技术
CCD图像传感器和/或CMOS图像传感器等固体拍摄装置,用于数字相机、摄像机或监视相机等多种用途。就固体拍摄装置而言,伴随像素尺寸的缩小化,有一部分采用在确保向光电二极管的入射光量方面有优势的背面照射型结构。背面照射型固体拍摄装置,由于在受光区域与微透镜之间没有金属布线等光学性障碍物,所以能够提高灵敏度和/或画质。
背面照射型固体拍摄装置具备:包括受光元件的像素区域;和例如在像素区域周围形成为环状且包括逻辑电路以及模拟电路的周边电路。在为了使装置小型化而缩窄了周边电路区域的宽度的情况下,周边电路区域的形状变得细长,难以充分设置周边电路内的布线特别是电源布线。由此,电源布线的电阻变大,电源的电压降低变大。其结果是,装置的电源变得不稳定。
发明内容
本发明要解决的问题为提供能够通过降低布线电阻而使电源稳定的固体拍摄装置。
实施方式的固体拍摄装置具备:半导体基板,其具有像素区域以及周边电路区域,且具有第1以及第2主面;布线结构,其设置于所述半导体基板的第1主面,具有电连接于所述周边电路区域的多个第1布线层;第2布线层,其设置在所述周边电路区域且设置在所述半导体基板的第2主面;第3布线层,其夹着绝缘层设置在所述第2布线层的上方;和多个贯通电极,其将所述第2以及第3布线层与所述布线结构电连接,并贯通所述半导体基板。
根据上述构成的固体拍摄装置,能够通过减低布线电阻而使电源稳定化。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的固体拍摄装置的表面的布局图。
图2是第1实施方式涉及的固体拍摄装置的背面(第一层)的布局图。
图3是第1实施方式涉及的固体拍摄装置的背面(第二层)的布局图。
图4是沿图1到图3的A-A′线的固体拍摄装置的剖视图。
图5是沿图1到图3的B-B′线的固体拍摄装置的剖视图。
图6是第2实施方式涉及的固体拍摄装置的表面的布局图。
图7是第2实施方式涉及的固体拍摄装置的背面(第一层)的布局图。
图8是第2实施方式涉及的固体拍摄装置的背面(第二层)的布局图。
图9是沿图6到图8的A-A′线的固体拍摄装置的剖视图。
图10是沿图6到图8的B-B′线的固体拍摄装置的剖视图。
图11是变形例涉及的固体拍摄装置的剖视图。
图12是第3实施方式涉及的固体拍摄装置的背面的布局图。
图13是第4实施方式涉及的固体拍摄装置的表面的布局图。
图14是第4实施方式涉及的固体拍摄装置的背面的布局图。
图15是沿图13以及图14的A-A′线的固体拍摄装置的剖视图。
图16是沿图13以及图14的B-B′线的固体拍摄装置的剖视图。
图17是第5实施方式涉及的固体拍摄装置的背面的布局图。
图18是沿图17的B-B′线的固体拍摄装置的剖视图。
图19是第6实施方式涉及的固体拍摄装置的背面的布局图。
图20是沿图19的B-B′线的固体拍摄装置的剖视图。
图21是第7实施方式涉及的固体拍摄装置的表面的布局图。
图22是第7实施方式涉及的固体拍摄装置的背面的布局图。
图23是沿图21以及图22的B-B′线的固体拍摄装置的剖视图。
图24是沿图22的C-C′线的固体拍摄装置的剖视图。
图25是第1变形例涉及的固体拍摄装置的背面的布局图。
图26是第2变形例涉及的固体拍摄装置的背面的布局图。
图27是使用本实施方式的固体拍摄装置的数字相机的框图。
具体实施方式
下面,参照附图就实施方式进行说明。但是,附图是示意性的或概念性的,各图的尺寸以及比例等也不一定与实际情况相同。下面所述的几个实施方式,例示了用于将本发明的技术思想具体化的装置以及方法,本发明的技术思想不由构成部件的形状、结构、配置等特定。此外,在下面的说明中,关于具有相同功能以及结构的要素,赋予相同的附图标记,仅在必需的情况下进行重复的说明。
(第1实施方式)
本实施方式中,作为固体拍摄装置,以具有背面照射(BSI:backside illumination)结构的CMOS图像传感器为例进行说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的