[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310388783.0 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681672A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 金柱然;前田茂伸;金峰奭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体基板，包括第一区和第二区；分别在第一区和第二区上的第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管包括第一栅绝缘层图案，第二晶体管包括第二栅绝缘层图案，第一晶体管和第二晶体管两者都包括功函数调整膜图案和栅金属图案，其中第一晶体管的功函数调整膜图案包括与第二晶体管的功函数调整膜图案相同的材料，第一晶体管的栅金属图案包括与第二晶体管的栅金属图案相同的材料，包含在第一栅绝缘层图案中用于调节第一晶体管的阈值电压的金属的浓度不同于包含在第二栅绝缘层图案中用于调节第二晶体管的阈值电压的金属的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括:半导体基板，包括第一区和第二区；在所述第一区上的第一晶体管；和在所述第二区上的第二晶体管，其中所述第一晶体管包括第一栅绝缘层图案，所述第二晶体管包括第二栅绝缘层图案，所述第一晶体管和所述第二晶体管两者都包括功函数调整膜图案和栅金属图案，其中所述第一晶体管的功函数调整膜图案包括与所述第二晶体管的功函数调整膜图案相同的材料，所述第一晶体管的栅金属图案包括与所述第二晶体管的栅金属图案相同的材料，包含在所述第一栅绝缘层图案中用于调节所述第一晶体管的阈值电压的金属的浓度不同于包含在所述第二栅绝缘层图案中用于调节所述第二晶体管的阈值电压的金属的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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