[发明专利]有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法有效
申请号: | 201310386378.5 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103413898A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 杨宗颖 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法,所述结构包括:薄膜晶体管(20)及位于薄膜晶体管(20)上的有机发光二极管的阳极(40),所述薄膜晶体管(20)包括位于基板(22)上的低温多晶硅层(24)、位于低温多晶硅层(24)上的栅极绝缘层(26)、位于栅极绝缘层(26)上的栅极、位于栅极上的保护层(27)及位于保护层(27)上的源/漏极(28),所述有机发光二极管的阳极(40)连接于所述低温多晶硅层(24)上。本发明通过将有机发光二极管阳极直接连接于薄膜晶体管的低温多晶硅层,有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距,提高了单位面积(每英寸)内像素的数量,提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阳极 连接 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管阳极连接结构,其特征在于,包括:薄膜晶体管(20)及位于薄膜晶体管(20)上的有机发光二极管的阳极(40),所述薄膜晶体管(20)包括位于基板(22)上的低温多晶硅层(24)、位于低温多晶硅层(24)上的栅极绝缘层(26)、位于栅极绝缘层(26)上的栅极、位于栅极上的保护层(27)及位于保护层(27)上的源/漏极(28),所述有机发光二极管的阳极(40)连接于所述低温多晶硅层(24)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310386378.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:堆焊复合研磨辊
- 下一篇:一种铜藻基活性炭的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择