[发明专利]有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，包括：薄膜晶体管（20）及位于薄膜晶体管（20）上的有机发光二极管的阳极（40），所述薄膜晶体管（20）包括位于基板（22）上的低温多晶硅层（24）、位于低温多晶硅层（24）上的栅极绝缘层（26）、位于栅极绝缘层（26）上的栅极、位于栅极上的保护层（27）及位于保护层（27）上的源/漏极（28），所述有机发光二极管的阳极（40）连接于所述低温多晶硅层（24）上。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，所述薄膜晶体管（20）与有机发光二极管的阳极（40）之间还设有平坦化层（60）。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，所述基板（22）为玻璃基板。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，所述基板（22）与低温多晶硅层（24）之间还设有隔离层（29）。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管阳极连接结构，其特征在于，所述有机发光二极管的阳极（40）包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。

6.一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板（22），该基板（22）上形成有薄膜晶体管（20）；

步骤2、在薄膜晶体管（20）上形成平坦化层（60）；

步骤3、在平坦化层（60）及薄膜晶体管（20）上挖孔，露出薄膜晶体管（20）的低温多晶硅层（24）；

步骤4、在平坦化层（60）及露出的低温多晶硅层（24）上形成导电层，并图案化该导电层，以在低温多晶硅层（24）上形成新的源/漏极（280），在平坦化层（60）上形成有机发光二极管的阳极（40），该有机发光二极管的阳极（40）连接于所述新的源/漏极（280）。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管（20）包括位于基板（22）上的低温多晶硅层（24）、位于低温多晶硅层（24）上的栅极绝缘层（26）、位于栅极绝缘层（26）上的栅极、位于栅极上的保护层（27）及位于保护层（27）上的源/漏极（28）。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，所述基板（22）为玻璃基板。

9.如权利要求7所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，所述基板（22）与低温多晶硅层（24）之间还设有隔离层（29）。

10.如权利要求7所述的有机发光二极管阳极连接结构的制作方法，其特征在于，所述导电层包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。