[发明专利]有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310386378.5 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN103413898A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 杨宗颖 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 阳极 连接 结构 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发光二极管,尤其涉及一种有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管或有机发光显示器(Organic Light Emitting Diode Display,OLED)又称为有机电致发光二极管,是自20世纪中期发展起来的一种新型显示技术。与液晶显示器相比,有机电致发光二极管具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄、低成本、低功耗、快速响应、宽视角、工作温度范围宽、易于柔性显示等诸多优点。有机电致发光二极管的结构一般包括:基板、阳极、阴极和有机功能层,其发光原理是通过阳极和阴极间蒸镀的非常薄的多层有机材料,由正负载流子注入有机半导体薄膜后复合产生发光。有机电致发光二极管的有机功能层,一般由三个功能层构成,分别为空穴传输功能层(Hole Transport Layer,HTL)、发光功能层(Emissive Layer,EML)、电子传输功能层(Electron Transport Layer,ETL)。每个功能层可以是一层,或者一层以上,例如空穴传输功能层,有时可以细分为空穴注入层和空穴传输层;电子传输功能层,可以细分为电子传输层和电子注入层,但其功能相近,故统称为空穴传输功能层,电子传输功能层。

目前,全彩有机电致发光二极管的制作方法以红绿蓝(RGB)三色并列独立发光法、白光加彩色滤光片法、色转换法三种方式为主,其中红绿蓝三色并列独立发光法最有潜力,实际应用最多,其制作方法是红绿蓝选用不同主体和客体的发光材料。

有机电致发光二极管,根据其驱动方式,可以分为无源驱动和有源驱动两大类。即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。所述有源驱动类有机电致发光二极管即是有源矩阵式有机电致发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Device,AMOLED)。

由于AMOLED的像素电路和补偿电路比液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)像素复杂的多,目前AMOLED产品的每英寸所拥有的像素(Pixels Per Inch,PPI)数目少于280个,解析度相对较低。

请参阅图1及图2,为现有的一种有机发光二极管阳极连接结构的示意图,其阳极100通过驱动薄膜晶体管的源/漏极300电性连接于低温多晶硅层500上,由于该源/漏极300的金属层的存在,使得其两侧开关薄膜晶体管之间的间距相对较大,使得像素的面积相对较大,导致每英寸所拥有的像素数目较少,进而导致解析度相对较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机发光二极管阳极连接结构,其结构简单,成本低,像素面积小,解析度高。

本发明的另一目的在于提供一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法,其制程简单,能有效减小像素面积,提高解析度。

为实现上述目的,本发明提供一种有机发光二极管阳极连接结构,包括:薄膜晶体管及位于薄膜晶体管上的有机发光二极管的阳极,所述薄膜晶体管包括位于基板上的低温多晶硅层、位于低温多晶硅层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、位于栅极上的保护层及位于保护层上的源/漏极,所述有机发光二极管的阳极连接于所述低温多晶硅层上。

所述薄膜晶体管与有机发光二极管的阳极之间还设有平坦化层。

所述基板为玻璃基板。

所述基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。

所述有机发光二极管的阳极包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。

本发明还提供一种有机发光二极管阳极连接结构的制作方法,包括以下步骤:

步骤1、提供一基板,该基板上形成有薄膜晶体管;

步骤2、在薄膜晶体管上形成平坦化层;

步骤3、在平坦化层及薄膜晶体管上挖孔,露出薄膜晶体管的低温多晶硅层;

步骤4、在平坦化层及露出的低温多晶硅层上形成导电层,并图案化该导电层,以在低温多晶硅层上形成新的源/漏极,在平坦化层上形成有机发光二极管的阳极,该有机发光二极管的阳极连接于所述新的源/漏极。

所述薄膜晶体管包括位于基板上的低温多晶硅层、位于低温多晶硅层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、位于栅极上的保护层及位于保护层上的源/漏极。

所述基板为玻璃基板。

所述基板与低温多晶硅层之间还设有隔离层。

所述导电层包括氧化铟锡层、氧化铟锌、铝层、银层、及钼层之一或其叠层。

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