[发明专利]电容器结构及其制作方法

摘要

本发明提出一种电容器结构及其制作方法，在现有的电容器基础上形成一层第四介质层，并且刻蚀第四介质层形成沟槽，并对沟槽填充金属物，第一多晶硅层作为第一极板，第二多晶硅层作为第二极板，沟槽中的金属物作为第三极板，第二介质层以及第四介质层作为极板之间的介质层，从而在不增加电容器电容面积的情况下，提高电容器的单位面积电容，节省半导体芯片的整体面积。

主权项

一种电容器的制作方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一介质层以及第一多晶硅层，刻蚀所述第一多晶硅层以及第一介质层，暴露出部分半导体衬底；在所述半导体衬底以及第一多晶硅层上依次形成第二介质层以及第二多晶硅层，刻蚀所述第二多晶硅层以及第二介质层，暴露出所述第一多晶硅层以及半导体衬底；在所述半导体衬底以及第二多晶硅层上形成第三介质层，刻蚀所述第三介质层，形成沟槽，所述沟槽暴露出所述第二多晶硅层；在所述第三介质层上以及所述沟槽中形成第四介质层，依次刻蚀所述第四介质层、第三介质层，形成第一通孔、第二通孔以及第三通孔，所述第一通孔暴露出所述半导体衬底，所述第二通孔暴露出所述第一多晶硅层，所述第三通孔暴露出所述第二多晶硅层；在所述第一通孔、第二通孔、第三通孔以及沟槽中填充金属物。