[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

摘要

本发明提供一种有机发光显示装置，在钝化层上设置与第一电极厚度相当的紫外线阻挡层，不但可以实现金属氧化物半导体薄膜晶体管在顶发射有机发光二极管器件中的使用，而且所述紫外线阻挡层可以起到像素限定层的作用；使用金属氧化物半导体作为半导体层，其载流子迁移率高，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率；显示装置采用顶发射结构，开口率高；并设置有光取出层，在与所述紫外线阻挡层的协同作用下，不但可以进一步阻挡紫外线，而且可以减少全反射带来的光线损失，进一步提高显示装置的发光效率；制备工艺简单，易于实施。

主权项

一种有机发光显示装置，包括：基板(1)；薄膜晶体管，包括半导体层(33)，设置在半导体层(33)两端的漏极(34)和源极(35)，垂直方向上设置于所述半导体层(33)上方或下方的栅极(31)；钝化层(36)，设置薄膜晶体管上；有机发光二极管，设置在所述钝化层(36)上，包括第一电极(41)、有机层(42)以及第二电极(43)；所述钝化层(36)中设置有导通所述第一电极(41)与所述源极(35)、所述漏极(34)之一的通孔，所述第二电极(43)上还设置有封装层(5)；其特征在于，所述半导体层(33)为金属氧化物半导体层，所述钝化层(36)上直接设置有紫外线阻挡层(7)，所述紫外线阻挡层(7)与所述第一电极(41)平滑相接，且其厚度与所述第一电极(41)相同；直接设置于所述第一电极(41)上的所述有机层(42)平缓延伸覆盖在所述紫外线阻挡层(7)上；所述第二电极(43)和所述封装层(5)之间还设置有光取出层(6)，所述光取出层(6)对波长小于420nm的光透过率小于20％，对波长大于或等于420nm的光透过率大于90％，且所述光取出层(6)的折射率大于2。