[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种有机发光显示装置及其制备方法。

背景技术

有源矩阵有机发光器件（英文全称Active Matrix Organic Lighting Emitting Display，简称AMOLED），利用薄膜晶体管（英文全称Thin Film Transistor，简称TFT），搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管（英文全称Organic Lighting Emitting Diode，简称OLED）的亮度和灰阶表现。每个单独的AMOLED具有完整的第二电极、有机功能层和第一电极，第一电极覆盖一个薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。薄膜晶体管阵列形成电路，决定像素的发光情况，进而决定图像的构成。AMOLED可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长，因此在显示技术领域得到了高度的重视。

如附图1所示，现有技术中有机发光显示装置包括基板1，设置在基板1上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管通常包括设置在基板1上的缓冲层2，依次设置在缓冲层2上的栅极31、栅极绝缘层32、半导体层33，以及设置在半导体层33两端的漏极34和源极35。薄膜晶体管上还设置有钝化层36，所述钝化层36上设置包括第一电极41、有机层42以及第二电极43的有机发光二极管，其中，所述钝化层36中设置有导通所述源极35和所述第一电极41的通孔。所述钝化层36上还设置有像素限定层37，用于各像素间的隔离。

低温多晶硅（英文全称为：Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS）的电子迁移率高，用作半导体层33的材料，不但可以提高显示器件的响应速度，还可以使薄膜电路做得更小更薄，功耗更低，提高显示器件的开口率，在现有的显示器件中得到了广泛使用。但是，由于LTPS的退火工艺成本很高，无论是生产过程、生产线的维修维护，还是生产线的升级换代，都不能轻易实现；而且，随着人们对大尺寸显示器件需要的增加，大尺寸的LTPS的均一性和稳定性也受到了考验，因此，现有技术中的LTPS仍局限于在小尺寸显示器件中的应用。

为了解决LTPS制作成本高、无法大尺寸化的问题，研发人员找到一类新的半导体材料——金属氧化物半导体，如IGZO（英文全称为Indium Gallium Zinc Oxide，译为铟镓锌氧化物）、IZO（英文全称为Indium Zinc Oxide，译为氧化铟锌）等，其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率。更重要的是金属氧化物半导体TFT可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比LTPS更有竞争力。

但是金属氧化物半导体对紫外线非常敏感，特别是在顶发射显示装置中，顶发射的第二电极较薄，是半反射半透射膜质，金属氧化物半导体很容易暴露在紫外光下，易造成显示装置的劣化，使得金属氧化物半导体无法在顶发射显示装置中使用。

发明内容

为此，本发明所要解决的是金属氧化物半导体薄膜晶体管无法在顶发射有机发光二极管显示装置中使用以及易造成第二电极断层的技术问题，提供一种新型的有机发光显示装置及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明所述的一种有机发光显示装置，包括：

基板；

薄膜晶体管，包括半导体层，设置在半导体层两端的漏极和源极，垂直方向上设置于所述半导体层上方或下方的栅极；

钝化层，设置薄膜晶体管上；

有机发光二极管，设置在所述钝化层上，包括第一电极、有机层以及第二电极；

所述钝化层中设置有导通所述第一电极与所述源极、所述漏极之一的通孔，所述第二电极上还设置有封装层；

所述半导体层为金属氧化物半导体层，所述钝化层上直接设置有紫外线阻挡层，所述紫外线阻挡层与所述第一电极平滑相接，且其厚度与所述第一电极相同；直接设置于所述第一电极上的所述有机层平缓延伸覆盖在所述紫外线阻挡层上；

所述第二电极和所述封装层之间还设置有光取出层，所述光取出层对波长小于420nm的光透过率小于20%，对波长大于或等于420nm的光透过率大于90%，且所述光取出层的折射率大于2。

所述紫外线阻挡层对波长小于420nm的光透过率小于20%，对波长大于或等于420nm的光透过率大于90%。

所述紫外线阻挡层远离基板的表面的表面平整度小于10nm。