[发明专利]半导体功率元件及其半导体结构

摘要

一种半导体功率元件及其半导体结构，该半导体功率元件的半导体结构包括基材、绝缘层、及源极导电层。基材自其顶面蚀刻形成有第一沟槽，而顶面位于第一沟槽两旁的部位定义为两个顶接触面。绝缘层填充于部分第一沟槽，且第一沟槽未填充绝缘层的部位，其两内侧壁未接触于绝缘层且分别定义为两个侧接触面。源极导电层埋设于绝缘层中。其中，两个顶接触面与两个侧接触面用以与金属层连接，以形成半导体功率元件的肖特基位障界面。藉此，本发明的半导体结构能通过形成侧接触面以增加肖特基位障界面的面积，进而利于缩小半导体功率元件的尺寸。

主权项

一种半导体功率元件，其特征在于，所述半导体功率元件包括：一半导体结构，定义有一屏蔽栅极区块以及一位于所述屏蔽栅极区块附近的沟槽式金属氧化物半导体势垒肖特基区块，所述半导体结构包含：一基材，具有一顶面，且所述基材的位于所述沟槽式金属氧化物半导体势垒肖特基区块内的部位自所述顶面蚀刻形成有一第一沟槽，而位于所述沟槽式金属氧化物半导体势垒肖特基区块内且在所述第一沟槽两侧的所述顶面的部位定义为两个顶接触面；一绝缘层，填充于所述第一沟槽的一部分，且所述第一沟槽的未填充所述绝缘层的部位的两个内侧壁未与所述绝缘层接触且分别定义为两个侧接触面；及一源极导电层，埋设于所述绝缘层中；以及一金属层，一体地覆盖于所述半导体结构的屏蔽栅极区块与所述沟槽式金属氧化物半导体势垒肖特基区块上，且所述金属层连接所述两个顶接触面与所述两个侧接触面，以使所述两个顶接触面与所述两个侧接触面形成所述半导体功率元件的肖特基位障界面；其中，所述屏蔽栅极区块包含有一晶胞区域与一终端区域，且所述晶胞区域位于所述终端区域与所述沟槽式金属氧化物半导体势垒肖特基区块之间，所述基材的位于所述终端区域内的部位蚀刻形成有一接触塞沟槽，所述绝缘层填充于所述接触塞沟槽；所述半导体结构包含一第一接触塞，所述第一接触塞埋设于所述接触塞沟槽内的绝缘层的部位，且所述第一接触塞的一端连接于所述第一接触塞所埋置的所述绝缘层的部位内的源极导电层，所述第一接触塞的另一端则连接于所述金属层。