[发明专利]半导体制造方法在审
| 申请号： | 201310370260.3 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104425340A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 半导体制造方法，本发明提供了一种SOI衬底制造方法，在应用广泛且的体硅衬底上先后形成氧化硅层和CVD的硅材料层，然后，利用单次或者多次外延工艺，在衬底上形成多晶硅层，从而获得SOI衬底。通过控制外延工艺的参数，可以获得具有较大粒径的晶粒的多晶硅层，从而使所获得的SOI衬底能够用于0.13μm及以上技术节点的半导体器件制造。同时，本发明SOI衬底的制备工艺简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，用于制造SOI衬底，其特征在于，包括如下步骤：提供体硅衬底；在所述体硅衬底上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成硅材料层；采用外延工艺，在所述硅材料层上形成多晶硅层；其中，所述硅材料层的晶粒具有第一粒径，所述多晶硅层的晶粒具有第二粒径，所述第二粒径大于所述第一粒径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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