[发明专利]一种纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 201310367119.8 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103441180A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 相文峰;潘亚武 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学(北京) |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18;G01J1/42;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;韩蕾 |
| 地址： | 102249*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用，所述探测器包括基底层（1）、位于基底层上的光响应层（2），第一电极（3）和第二电极（4），分别连接第一电极引线（5）和第二电极引线（6），所述光响应层为Ni-NiO纳米线。本发明的紫外光探测器的制备方法简单，成本低廉，易于工业化批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 紫外光 探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米线紫外光探测器，其特征在于，所述探测器包括基底层（1）、位于基底层（1）上的光响应层（2），第一电极（3）和第二电极（4），分别连接第一电极引线（5）和第二电极引线（6），所述光响应层为Ni‑NiO纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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