[发明专利]一种纳米线紫外光探测器及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种纳米线紫外光探测器，其特征在于，所述探测器包括基底层（1）、位于基底层（1）上的光响应层（2），第一电极（3）和第二电极（4），分别连接第一电极引线（5）和第二电极引线（6），所述光响应层为Ni-NiO纳米线。

2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述Ni-NiO纳米线为纳米线阵列，优选所述纳米线阵列的每个单元的面积为1cm×1cm；所述Ni-NiO纳米线垂直于基底层（1）；或者所述Ni-NiO纳米线为单根纳米线，所述Ni-NiO纳米线平行于基底层（1）；当所述纳米线垂直于基底层（1）时，纳米线分布密度为1～50根/um²，更优选为11根/um²，当纳米线平行于基底层（1）时，纳米线分布密度为1000～16000根/mm²，更优选为8000根/mm²。

3.根据权利要求1或2所述的探测器，其特征在于，所述Ni-NiO纳米线直径为5～500nm，长度为10～500μm，优选直径为250nm，长度为50μm。

4.根据权利要求1或2所述的探测器，其特征在于，所述探测器还包括连接于第一电极引线（5）和第二电极引线（6）之间的放大电路或电压测试设备，优选所述电压测试设备为电压放大器或示波器。

5.根据权利要求1或2所述的探测器，其特征在于，所述探测器还包括连接于第一电极引线和第二电极引线之间的电阻（7）和/或电容（7’），优选所述电阻阻值为1Ω～1MΩ，所述电容容量为1pF～500μF；更优选所述电阻阻值为1MΩ，所述电容容量为500μF。

6.权利要求1～5任意一项所述纳米线紫外光探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

（1）纳米线的生长：用模板制备纳米线，去除未与基底层相接触的模板，氧化处理，得到Ni-NiO纳米线阵列；

（2）将制备好的Ni-NiO纳米线阵列切割，设置第一电极和第二电极，以及分别和第一电极、第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤（1）制备纳米线是用刻蚀法、凝胶溶胶法、水热法或直流电泳法制备，优选用直流电泳法。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤（1）中是利用氧化铝模板的直流电泳方法制备纳米线，模板孔径为250nm，孔间隔为70nm；所述氧化处理条件为：压强为0.01～0.02Mpa，氧化温度为400℃，氧化时间为8小时，升温降温速率均为10℃/min。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述固定为用银胶结，第一电极引线和第二电极引线用银胶结在第一电极和第二电极上。

10.一种测量连续紫外光或者脉冲紫外光的强度的方法，其中是应用权利要求1～5任一项所述的纳米线紫外光探测器进行测量。