[发明专利]包括过孔结构的集成电路器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310366956.9 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103681573B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 朴在花;文光辰;朴炳律 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L27/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了集成电路器件。该集成电路器件可以包括过孔结构，过孔结构包括导电插塞、与导电插塞隔开的导电阻挡层、以及导电插塞和导电阻挡层之间的绝缘层。还提供了形成集成电路器件的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路器件 导电插塞 孔结构 导电阻挡层 绝缘层 隔开 制造 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：半导体结构，具有半导体衬底；以及半导体结构中的贯穿硅过孔TSV结构，其中，所述TSV结构包括：导电插塞；与导电插塞隔开且围绕导电插塞的第一导电阻挡膜；以及导电插塞和第一导电阻挡膜之间的绝缘薄膜，所述绝缘薄膜穿过所述半导体衬底，其中，所述导电插塞包括：半导体结构中被绝缘薄膜围绕的金属插塞；以及金属插塞和绝缘薄膜之间围绕金属插塞的第二导电阻挡膜，其中，第二导电阻挡膜沿所述TSV结构的纵向方向包括可变厚度。
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