[发明专利]包括过孔结构的集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

半导体结构，具有半导体衬底；以及

半导体结构中的贯穿硅过孔TSV结构，

其中，所述TSV结构包括：

导电插塞；

与导电插塞隔开且围绕导电插塞的第一导电阻挡膜；以及

导电插塞和第一导电阻挡膜之间的绝缘薄膜，所述绝缘薄膜穿过所述半导体衬底，

其中，所述导电插塞包括：

半导体结构中被绝缘薄膜围绕的金属插塞；以及

金属插塞和绝缘薄膜之间围绕金属插塞的第二导电阻挡膜，

其中，第二导电阻挡膜沿所述TSV结构的纵向方向包括可变厚度。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

导电插塞包括第一金属；以及

第一导电阻挡膜包括不同于第一金属的第二金属。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

半导体结构和第一导电阻挡膜之间的过孔绝缘膜。

4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中：

绝缘薄膜包括第一厚度，且过孔绝缘膜包括比第一厚度厚的第二厚度。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

半导体结构的表面上的导电层，所述导电层接触导电插塞的端部以及第一导电阻挡膜的端部。

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中：

导电插塞的所述端部包括导电插塞的第一端；

第一导电阻挡膜的所述端部包括第一导电阻挡膜的第一端；

所述表面包括第一表面；

所述导电层包括第一表面上的第一导电层；以及

所述集成电路器件还包括：

半导体结构的与第一表面相反的第二表面上的第二导电层，所述第二导电层接触导电插塞的第二端以及第一导电阻挡膜的第二端。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中：

导电插塞和第一导电阻挡膜被配置为经由第一导电层和第二导电层彼此电连接，使得导电插塞和第一导电阻挡膜共享等电势状态。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

第一导电阻挡膜沿TSV结构的纵向方向包括实质上均匀的厚度。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

绝缘薄膜沿TSV结构的纵向方向包括实质上均匀的厚度。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

第一导电阻挡膜沿TSV结构的纵向方向包括实质上均匀的厚度。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

半导体结构包括所述半导体衬底上的层间绝缘膜；以及

导电插塞、绝缘薄膜和第一和第二导电阻挡膜各自在半导体衬底和层间绝缘膜中延伸。

12.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

半导体结构包括所述半导体衬底上的层间绝缘膜以及层间绝缘膜上的金属间绝缘膜，以及

导电插塞、绝缘薄膜和第一和第二导电阻挡膜各自在半导体衬底、层间绝缘膜和金属间绝缘膜中延伸。