[发明专利]在最外鳍的外侧表面上包括外延生长阻挡物的多鳍FINFET器件和相关方法有效
| 申请号： | 201310343682.1 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103633143A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 柳青;P·卡雷;N·劳贝特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 种多鳍FINFET器件可以包括衬底以及从衬底向上延伸并且沿着衬底间隔开的多个半导体鳍。每个半导体鳍可以具有相对的第一和第二端以及在第一端与第二端之间的中间部分，并且多个半导体鳍中的最外鳍可以在其外侧表面上包括外延生长阻挡物。FINFET还可以包括：至少一个栅极，覆盖半导体鳍的中间部分；在半导体鳍之间的多个凸起外延半导体源极区域，与半导体鳍的第一端相邻；以及在半导体鳍之间的多个凸起外延半导体漏极区域，与半导体鳍的第二端相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 最外鳍 外侧 表面上 包括 外延 生长 阻挡 finfet 器件 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种多鳍FINFET器件，包括：衬底；多个半导体鳍，从所述衬底向上延伸并且沿着所述衬底被间隔开，每个半导体鳍具有相对的第一端和第二端以及在所述第一端与所述第二端之间的中间部分，所述多个半导体鳍中的最外鳍在其外侧表面上包括外延生长阻挡物；至少一个栅极，覆盖所述半导体鳍的所述中间部分；在所述半导体鳍之间的多个凸起外延半导体源极区域，与所述半导体鳍的所述第一端相邻；以及在所述半导体鳍之间的多个凸起外延半导体漏极区域，与所述半导体鳍的所述第二端相邻。
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