[发明专利]在最外鳍的外侧表面上包括外延生长阻挡物的多鳍FINFET器件和相关方法

权利要求书

1.一种多鳍FINFET器件，包括：

衬底；

多个半导体鳍，从所述衬底向上延伸并且沿着所述衬底被间隔开，每个半导体鳍具有相对的第一端和第二端以及在所述第一端与所述第二端之间的中间部分，所述多个半导体鳍中的最外鳍在其外侧表面上包括外延生长阻挡物；

至少一个栅极，覆盖所述半导体鳍的所述中间部分；

在所述半导体鳍之间的多个凸起外延半导体源极区域，与所述半导体鳍的所述第一端相邻；以及

在所述半导体鳍之间的多个凸起外延半导体漏极区域，与所述半导体鳍的所述第二端相邻。

2.根据权利要求1所述的多鳍FINFET器件，其中所述外延生长阻挡物包括化合物，所述化合物包括半导体以及碳和氟中的至少一项。

3.根据权利要求1所述的多鳍FINFET器件，其中所述多个半导体鳍包括硅。

4.根据权利要求1所述的多鳍FINFET器件，其中所述多个半导体鳍包括第一组P沟道鳍和从所述第一组P沟道鳍间隔开的第二组N沟道鳍以限定互补金属氧化物半导体(CMOS)FINFET。

5.根据权利要求4所述的多鳍FINFET器件，其中所述至少一个栅极包括用于所述第一组P沟道鳍和所述第二组N沟道鳍中的每个沟道鳍的相应栅极。

6.根据权利要求1所述的多鳍FINFET器件，还包括耦合到所述栅极并且从所述衬底向上延伸而且从所述半导体鳍间隔开的栅极接触区域。

7.根据权利要求1所述的多鳍FINFET器件，还包括：

源极接触区域，耦合到所述多个半导体鳍的所述第一端；以及

漏极接触区域，耦合到所述多个半导体鳍的所述第二端。

8.一种多鳍FINFET器件，包括：

衬底；

多个硅鳍，从所述衬底向上延伸并且沿着所述衬底被间隔开，每个硅鳍具有相对的第一端和第二端以及在所述第一端与所述第二端之间的中间部分，所述多个硅鳍中的最外鳍在其外侧表面上包括外延生长阻挡物，并且所述外延生长阻挡物包括化合物，所述化合物包括硅以及碳和氟中的至少一项；

至少一个栅极，覆盖所述硅鳍的所述中间部分；

在所述硅鳍之间的多个凸起外延半导体源极区域，与所述硅鳍的所述第一端相邻；以及

在所述硅鳍之间的多个凸起外延半导体漏极区域，与所述硅鳍的所述第二端相邻。

9.根据权利要求8所述的多鳍FINFET器件，其中所述多个硅鳍包括第一组P沟道鳍和从所述第一组P沟道鳍间隔开的第二组N沟道鳍以限定互补金属氧化物半导体(CMOS)FINFET。

10.根据权利要求9所述的多鳍FINFET器件，其中所述至少一个栅极包括用于所述第一组P沟道鳍和所述第二组N沟道鳍中的每个沟道鳍的相应栅极。

11.根据权利要求8所述的多鳍FINFET器件，还包括耦合到所述栅极并且从所述衬底向上延伸而且从所述硅鳍间隔开的栅极接触区域。

12.根据权利要求8所述的多鳍FINFET器件，还包括：

源极接触区域，耦合到所述多个硅鳍的所述第一端；以及

漏极接触区域，耦合到所述多个硅鳍的所述第二端。

13.一种制作多鳍FINFET器件的方法，包括：

形成从衬底向上延伸并且沿着所述衬底间隔开的多个半导体鳍，每个半导体鳍具有相对的第一端和第二端以及在所述第一端与所述第二端之间的中间部分；

形成至少一个栅极，所述至少一个栅极覆盖所述半导体鳍的所述中间部分；

在所述多个半导体鳍中的最外鳍的外侧表面上形成外延生长阻挡物；

在所述半导体鳍之间形成与所述半导体鳍的所述第一端相邻的多个凸起外延半导体源极区域；并且

在所述半导体鳍之间形成与所述半导体鳍的所述第二端相邻的多个凸起外延半导体漏极区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述外延生长阻挡物包括在从所述衬底的法线偏移的角度执行离子注入。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述角度在30度至60度的范围中。

16.根据权利要求14所述的方法，其中执行所述离子注入包括使用碳氟气体来执行反应离子蚀刻(RIE)。