[发明专利]有源矩阵有机发光二极管面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310342844.X 申请日: 2013-08-07
公开(公告)号: CN103400943A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 何剑;何基强;苏君海;柯贤军 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 516600 广东省汕尾市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种AMOLED及其制作方法,该方法包括:制备TFT阵列基板;在TFT阵列基板表面形成阴极;在阴极表面形成电子注入层,电子注入层包括第一电子注入层和在第一电子注入层表面形成的第二电子注入层,第一电子注入层的材料为铝,第二电子注入层的材料包括LiF、Li2O、Liq中的至少一种;在第二电子注入层表面形成电子传输层,电子传输层的材料为8-羟基喹啉铝。由于电子注入层材料在同Al和Alq3共存的条件下均会发生分解,产生Li+Alq3-对Al与Alq3之间的界面进行修饰,引起Alq3的能带弯曲,使阴极中电子能够较容易的注入到电子传输层中,从而提高了电子注入效率,使AMOLED的发光效率提高。
搜索关键词: 有源 矩阵 有机 发光二极管 面板 及其 制作方法
【主权项】:
一种有源矩阵有机发光二极管面板的制作方法,其特征在于,包括:制备薄膜场效应晶体管阵列基板,所述薄膜场效应晶体管阵列基板包括基板和设置在所述基板表面的多个薄膜场效应晶体管;在所述薄膜场效应晶体管阵列基板表面形成阴极,所述阴极与所述薄膜场效应晶体管的漏极连接;在所述阴极表面形成电子注入层,所述电子注入层包括第一电子注入层和在所述第一电子注入层表面形成的第二电子注入层,其中,所述第一电子注入层的材料为铝,所述第二电子注入层的材料包括氟化锂、氧化锂、8‑羟基喹啉锂中的至少一种;在所述第二电子注入层表面形成电子传输层,所述电子传输层的材料为8‑羟基喹啉铝。
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